By Walter Heywang

Die faszinierenden Erfolge der modernen Halbleiterelektronik, basie rend auf einkristallinem Silizium sowie den einkristallinen III-V -Halb leitern, haben den Blick so sehr auf sich gezogen, daB einige andere Entwicklungen auf dem Halbleitergebiet weniger B'eachtung fanden. Ge rade neuere Entwicklungen zeigen aber, daB auch diese Sektoren sich durchaus gesund weiterentwickeln mit wichtigen Nutz.ungsgebieten fUr die Elektronik, insbesondere im Bereich peripherer Systeme, wie Sensoren, screens, Elektrophotographie oder aber bei Spezialaufga ben, wie der Thermoelektrik oder dem Uberspannungsschutz. Es er schien daher sinnvoll, die Buchreihe "Halbleiterelektronik" durch ei nen Band zu erganzen, der - ausgehend von den Eigenschaften dieser Sondermaterialien - deren Nutzung in der modernen Elektronik be schreibt. Wegen der Vielgestaltigkeit des Inhalts erschien es mir sinnvoll, die einzelnen Kapitel von den dort genannten Fachleuten gestalten zu las sen. Ich hoffe, daB es trotzdem gelungen ist, einen geschlossenen Uberblick zu geben, wobei aber auf die an einigen Stellen besonders enge Korrelation zum Band "Sensorik" dieser Reihe verwiesen sei. Die ersten Konzeptionen zu einem Buch tiber amorphe und polykristal line Halbleiter wurden noch zusammen mit Herrn Professor Dr. Herbert Weill erarbeitet, der im Marz 1981 tOdlich verungltickte. Unser aller Dank gilt ihm und seiner Initiative.

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Die Gleichstrommaschine: Ihre Theorie, Untersuchung, Konstruktion, Berechnung und Arbeitsweise. Erster Band. Theorie und Untersuchung

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17. Lichtinduzierte Kirstallisation. a) zeigt eine " weichere" und b) eine "hiirtere" Aufnahme (microfiche), die durch Belichtung mit 10-< J / cm und anschlieBende kurze Atzung der lichtempfindlichen Tellurmischung entstanden sind. 27J; c) Grenze zwischen belichteter und unbelichteter Stelle. 38J. Die Aufnahmen wurden freundlicherweise von P. H. Klose (Energy Conversion Devices, Troy, Michigan USA) zur Verfiigung gestellt 55 Eine kommerzielle Anwendung scheiterte bisher an den Zweifeln iiber die wirklich zuverlassige Reversibilitat, d.

Die unterschiedlichen Austrittsarbeiten von a-Si: H und einem Metall (meist Plat in) fUhrten zu einer Raumladungszone an der Oberflache der Siliziumschicht, dort wo das Licht absorbiert wurde. Der an sich sehr einfache Aufbau der Schottky-ZeUe brachte jedoch einige technologische Schwierigkeiten (urn transparent zu sein, muB die Metallelektrode gleichmaBig z. B . 5 nm dUnn sein) und erwies sich als Oberflacheneffekt zeitlich nicht stabil. Inzwischen hat sich allgemein der Zellenaufbau nach dem Schema eines p-i-n-Ubergangs durchgesetzt.

23. Der Transistor wurde wie oben beschrieben aufgebaut. 47]. Die erhaltene Kenn- 66 linie eines Elements (Kurve a) verbessert sich durch Hintereinanderschaltung von drei gleichen Elementen (Kurve b). Man erkennt am Kurvenverlauf die Inverterfunktion: Die Ausgangsspannung Uo falIt von 14,5 V auf 2 V, wenn die Eingangsspannung von 5 V auf 15 V erhoht wird. 15 F===::::::t~=:::::-r-----' V V Au • 10 u",u, 5 V a 15 b Bild 1. 23. Integrierte Inverterschaltung aus dunnen amorphen Siliziumschichten. a) Schaltung und Schichtaufbau; Kennlinie eines Einzelelements (1) und dreier hintereinandergeschalteter Elemente (3) bei einer Versorgungsspannung von U 0 :: 15 V.

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